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파워 인테그레이션스의 SiC MOSFET용 SCALE-iDriver, AEC-Q100 자동차 인증 획득

액티브 클램핑과 2µs 미만의 회로 단락 턴오프 시간을 제공
견고한 소형 절연 SiC MOSFET 드라이버

 

중고압 인버터 애플리케이션용 게이트 드라이버 기술의 선도기업인 파워 인테그레이션스(Power Integrations)(나스닥: POWI)가 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET용 고효율 단일 채널 게이트 드라이버인 SIC118xKQ SCALE-iDriver™가 AEC-Q100 자동차 인증을 받았다고 17일 발표했다.

이 디바이스는 일반적으로 사용되는 SiC MOSFET의 게이트 드라이브 전압 요구 사항을 지원하고 정교한 안전 및 보호 기능을 갖도록 구성할 수 있다.

SIC1182KQ(1200V) 및 SIC1181KQ(750V) SCALE-iDriver 디바이스는 자동차 애플리케이션에서 SiC MOSFET을 구동하고 rail-to-rail 출력, 빠른 게이트 스위칭 속도, 플러스 및 마이너스 출력 전압을 지원하는 유니폴라 공급 전압, 전원 및 전압 통합 관리, 강화된 절연을 제공하도록 최적화되어 있다. 드레인-소스 전압(VDS) 모니터링, SENSE 판독, 1차측 및 2차측 저전압 록아웃(UVLO), 전류가 제한된 게이트 드라이브, 고장 조건에서 안전하게 작동하도록 하며 소프트 턴오프를 가능하게 하는 고급 액티브 클램핑(AAC)을 비롯한 중요한 안전 기능도 갖추고 있다. VDS 모니터링과 결합된 AAC는 회로 단락 조건에서 2µs 미만의 안전한 턴오프를 보장한다. 게이트 드라이브 제어 및 AAC 기능을 통해 게이트 저항을 최소화할 수 있으며, 이는 스위칭 손실을 줄이고 인버터 효율을 극대화한다.

파워 인테그레이션스(Power Integrations)는 SCALE-iDriver 제어 및 안전 기능을 고속 FluxLink™ 통신 기술과 함께 사용하여, 옵토, 커패시티브 또는 Si 절연 마그네틱 커플러보다 더 큰 기술 혁신을 게이트 드라이버 IC에 가져온다. 이 조합은 절연 기능을 획기적으로 향상시키고 최대 300kW의 외부 부품이 거의 없는 인버터를 위한 안전하고 비용 효율적인 설계를 가능하게 한다.

파워 인테그레이션스(Power Integrations)의 자동차 게이트 드라이버 제품 마케팅 부문 수석 이사인 Michael Hornkamp는 “실리콘 카바이드 MOSFET 기술은 더 작고 가벼운 자동차 인버터 시스템의 가능성을 열었다. 스위칭 속도와 작동 주파수가 증가하고 있는 가운데 당사 제품의 낮은 게이트 저항값은 스위칭 효율을 유지해주는 한편, 고장 발생 시 빠른 회로 단락 응답이 시스템을 신속하게 보호한다”며 “SCALE-iDriver는 기능 안전을 위한 절연 안정성의 새로운 기준을 제시한다. 전력 장치로 인해 치명적인 드라이버 고장이 발생하더라도 SCALE-iDriver의 절연은 그대로 유지되어 섀시의 어느 부분도 생명을 위협할 만큼 높은 전압을 전달하지 않는다”고 덧붙였다.

새로운 단일 채널 SIC118xKQ 게이트 드라이버는 +15V의 표준 게이트 이미터 전압과 -3V ~ -15V 범위의 다양한 마이너스 전압으로 최대 8A를 제공하며 SiC MOSFET에 적합하다. 높은 외부 자기장 내성을 보이는 이러한 디바이스는 최고 CTI 레벨(IEC 60112에 따라 CTI = 600)을 갖춘 재료를 사용하여 9.5mm 이상의 연면 거리와 공간 거리를 제공하는 소형 eSOP 패키지로 제공된다. 해당 제품은 현재 판매 중이며 1만개 단위로 가격은 개당 5.39달러이다.

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